IC субстрат вертикаль плазма җиһазлары
IC субстрат вертикаль плазма җиһазлары традицион IC упаковка процессларында IC субстратларын чистарту, кисәкчәләрне, майларны һәм өслек пычраткыч матдәләрен эффектив рәвештә чыгару өчен эшләнгән, алдагы төрү адымнары өчен югары - сыйфатлы өслек тәэмин итү. Система сенсорлы экран һәм PLC контроле белән тулысынча автоматлаштырылган эшне хуплый, процесс параметрларын комплекслы идарә итү мөмкинлеген бирә, реаль - вакыт мониторингы, рецептлар белән идарә итү, сигнализация хәбәрләре.
Функция тасвирламасы
IC субстрат вертикаль плазма җиһазлары махсус эшләнгәнтрадицион IC төрү процессларында IC субстратларын чистарту, киләсе төрү адымнары өчен югары - сыйфатлы өслек белән тәэмин итү өчен кисәкчәләрне, майларны, өслекне пычратучы матдәләрне эффектив рәвештә чыгару. Система ярдәм итәтулысынча автоматлаштырылган эшсенсорлы экран һәм PLC контроле белән, процесс параметрларын комплекслы идарә итү мөмкинлеген бирә, реаль - вакыт мониторингы, рецептлар белән идарә итү, сигнализация хәбәрләре. Бу тотрыклы, ышанычлы, һәм эш итү җиңел, IC- төгәллеккә һәм IC {упаковка процессларының эзлеклелеге - таләпләренә туры килә.
Төп компонентлар (конфигурация)
Вакуум Соленоид Клапаннары
{Гары - сыйфатSVF бренды соленоид клапаннарвакуум камера газ агымының тиз реакциясен һәм тотрыклы контролен тәэмин итү.
Басым ачкычлары һәм көйләүчеләр
SMC бренды югары - төгәл басым ачкычлары һәм көйләүчеләрвакуум һәм газ басымын төгәл контрольдә тоту, процессның эзлекле эшләвен саклау.
Электрод дизайны
Электродлар абуш үзәкле бер каты алюминий тәлинкә, һәм суыту каналлары кулланатирән - борауланган тишекләр стратегик урнаштырылган агым блоклары белән берләштерелгәнбилгеләнгән юл буенча суыту суын алып бару. Бу бердәм электрод температурасын тәэмин итә, плазманы эшкәртү эзлеклелеген һәм кабатлануын яхшырта.
Төп кушымталар
Theиһазлар нигездә кулланылаIC субстрат чистарту, нечкә кисәкчәләрне, калдыкларны, органик пычраткыч матдәләрне чыгару өчен плазма мохитен төгәл контрольдә тоту. Бу IC төрү продуктын һәм продукт эзлеклелеген арттыра. Система төрле чисталык һәм материалларның субстратлары белән туры килә, каты чисталыкка һәм электрон төрү сәнәгатенең төгәл таләпләренә туры килә.
Техник үзенчәлекләр
Вакуум дәрәҗәсе
Саклый20–50 Панормаль операция вакытында, тотрыклы плазманы дәвалау мохитен тәэмин итү.
Газ агымы ысулы
Кулланыла апатентланган өске - кертү, аскы - чыгару дизайныпалата эчендә бердәм һава агымын һәм эзлекле дәвалау нәтиҗәләрен гарантияләү өчен.
Суыту системасы
Электрод суыту каналлары тирән - борауланган тишекләр һәм агым блоклары белән эшләнгән, билгеләнгән юл буенча су белән идарә итү, бердәм электрод температурасын тәэмин итү һәм плазманы эшкәртү тотрыклылыгын һәм кабатлануын яхшырту.
Куллану бәясе
IC субстрат вертикаль плазма җиһазлары аюгары эффектив, тотрыклы һәм акыллы өслекне чистарту чишелеше. Вакуум һава агымын һәм электрод суыту дизайнын оптимальләштереп, ул IC төрү продуктын һәм продукт эзлеклелеген сизелерлек яхшырта, процесс җитешсезлекләрен һәм җитештерү калдыкларын киметә. Система эшләү һәм саклау җиңел, энергия - эффектив һәм экологик яктан чиста, бу аны җитештерүчәнлекне арттырырга, эзлекле сыйфатын тәэмин итәргә һәм процесс тотрыклылыгын сакларга омтылган IC төрү җитештерүчеләре өчен төп актив итә.
Кайнар тэглар: ic субстрат вертикаль плазма җиһазлары, Кытай ic субстрат вертикаль плазма җиһазлары җитештерүчеләре, завод
Сорау җибәрү
